RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
92
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2595
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link