RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
92
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
52
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2260
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link