RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
38
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1493
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link