RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
61
Autour de -177% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
3879
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link