RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
874.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
81
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
81
39
Vitesse de lecture, GB/s
1,885.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
874.3
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
277
2600
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Comparaison des RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link