RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
54
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2080
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link