RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
54
Autour de -184% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3359
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link