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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
54
Autour de -4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17500
5300
Autour de 3.3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
52
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17500
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2319
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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