RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
54
Autour de -145% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3296
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link