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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3029
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1866C11 4GB
Kingston KHX16 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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