RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
64
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
2,256.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2495
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link