RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2659
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link