Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 42
    Autour de -50% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.8 left arrow 9.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.9 left arrow 6.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    42 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.7 left arrow 11.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    6.0 left arrow 7.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1396 left arrow 1920
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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