RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
48
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
48
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2568
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link