RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2987
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link