RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
71
Autour de -238% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
21
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3255
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link