RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
71
Autour de -27% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
56
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2795
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link