RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
71
Autour de -73% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
41
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2417
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link