RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
49
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
49
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2451
2534
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link