RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3693
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link