RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2734
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link