RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2908
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link