RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de -34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
29
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3302
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link