RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3239
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link