RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3495
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link