RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2398
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link