Comparaison de la RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Note globale

PNY Electronics PNY 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 45

Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.8 10

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.4 8.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2274 2414

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns