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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
58
Autour de 53% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
58
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1998
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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