RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
2690
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link