RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
79
Autour de -182% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
3609
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link