RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2635
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link