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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
3692
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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