RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3313
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link