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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
2462
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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