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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
2902
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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