RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
71
Autour de 44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
1767
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link