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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
56
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
56
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2200
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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