RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
3485
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link