RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
73
Autour de 66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
73
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
1838
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link