RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
3491
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link