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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
69
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
69
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1995
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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