RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
38
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2807
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link