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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3005
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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