RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3143
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link