Comparaison de la RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.1 16

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 25

Autour de -4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.5 10.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2764 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns