RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
36
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2332
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link