RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston XJV223-MIE 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston XJV223-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston XJV223-MIE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3127
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link