RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2708
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link