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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3191
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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