RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
47
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2875
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link